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这些n沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用费尔柴尔德专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的过程是特别定制的,以最小化通态电阻。
这些设备特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡和其他电池供电电路的低压应用,这些电路需要在一个非常小的外形表面贴装包中快速开关和低线内功耗。
1.3、20 v.rosou: = 0.219 @Vas = 2.7 v Rosfcg = 0.16 ? @Vas = 4.5 v。
工业标准外形SOT-23表面安装包采用专有的SuperSOTTM-3设计,具有优越的热和电气性能。
高密度电池设计,适用于极低的Rosca-优异的导通电阻和最大的直流电流能力。
针脚数:3
漏源极电阻:0.11 Ω
耗散功率:500 mW
阈值电压:700 mV
漏源极电压(Vds):20 V
上升时间:25 ns
输入电容(Ciss):162pF @10V(Vds)
额定功率(Max):460 mW
下降时间:5 ns
工作温度(Max):150 ℃
工作温度(Min):-55 ℃
耗散功率(Max):500 mW
安装方式:Surface Mount
引脚数:3
封装:SOT-23-3
长度:2.92 mm
宽度:1.4 mm
高度:0.94 mm
供应商 | 数量 | 厂商 | 批号 | 封装 | 交易说明 | 仓库 | |
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45800 | FAIRCHILD/仙童 | 原装进口价格优势 | 询价 | |||
18000 | ON/安森美 | 20+ | SOT-23 | 原厂渠道现货供应可长期订货 | 北京 | 询价 | |
15000 | ON/安森美 | 2020+ | SOT-23-3 | 原厂订货库存只做自己现货保证进口品质 | 上海 | 询价 | |
9000 | ON/安森美 | 1823+ | SOT23 | 深圳 | 询价 | ||
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3000 | FAIRCHILD/仙童 | IC | 01 | 询价 |
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