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BSS123LT1G是一款N沟道功率MOSFET，漏极-源极电压为100VDC，漏极电流为170mA。
AEC-Q101认证
PPAP能力
应用
车用
额定电压(DC)：100 V
额定电流：170 mA
额定功率：0.225 W
无卤素状态：Halogen Free
通道数：1
针脚数：3
漏源极电阻：6 Ω
极性：N-Channel
耗散功率：225 mW
阈值电压：800 mV
输入电容：20pF @25V
漏源极电压(Vds)：100 V
漏源击穿电压：100 V
栅源击穿电压：±20.0 V
连续漏极电流(Ids)：170 mA
正向电压(Max)：1.3 V
输入电容(Ciss)：20pF @25V(Vds)
额定功率(Max)：225 mW
工作温度(Max)：150 ℃
工作温度(Min)：-55 ℃
耗散功率(Max)：225mW (Ta)
安装方式：Surface Mount
引脚数：3
封装：SOT-23-3
长度：2.9 mm
宽度：1.3 mm
高度：0.94 mm
| 厂商 | PDF简要描述 | 下载 |
|---|---|---|
| ON Semiconductor |
| 供应商 | 数量 | 厂商 | 批号 | 封装 | 交易说明 | 仓库 | |
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| 12000 | ON/安森美 | 1349+ | SOT-23 | 实际库存实际数量实际年份不定期更新 | 深圳 | 询价 | |
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ST10F275-CEG 2000 件
深圳市雄鑫发电子科技有限公司
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