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STF14NM65N

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概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:MDmesh™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:380 毫欧 @ 6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:45nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1300pF @ 50V
功率 - 最大:30W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220FP
包装:管件
供应商设备封装:*
其它名称:497-10316-5STF14NM65N-ND

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