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2N7002LT1G是一款N通道功率MOSFET。
2N7002LT1G适用于要求独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用;AEC-Q101合格且支持PPAP(2v 7002 l)这些器件无铅、无卤素/无BFR,符合RoHS标准。
额定电压(DC):60.0 V
额定电流:115 mA
额定功率:0.225 W
无卤素状态:Halogen Free
通道数:1
针脚数:3
漏源极电阻:7.5 Ω
极性:N-Channel
耗散功率:200 mW
阈值电压:2.5 V
漏源极电压(Vds):60 V
漏源击穿电压:60 V
栅源击穿电压:±20.0 V
连续漏极电流(Ids):115 mA
正向电压(Max):1.5 V
输入电容(Ciss):50pF @25V(Vds)
额定功率(Max):225 mW
工作温度(Max):150 ℃
工作温度(Min):-55 ℃
耗散功率(Max):225mW (Ta)
安装方式:Surface Mount
引脚数:3
封装:SOT-23-3
长度:2.9 mm
宽度:1.3 mm
高度:0.94 mm
供应商 | 数量 | 厂商 | 批号 | 封装 | 交易说明 | 仓库 | |
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MK02FN128VFM10 500 件
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