CSD86330Q3D中文资料PDF_CSD86330Q3D芯片概述/特性/原理及引脚图等信息

CSD86330Q3D

浏览次数：352次更新时间：2020-12-10 02:24

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CSD86330Q3D国产替代产品

CSD86330Q3D采购批发价格

1.概述 2.特性 3.参数 4.PDF资料 5.推荐供应商

概述

制造商：TexasInstruments
产品种类：MOSFET及电源驱动器IC
RoHS：是
产品：Half-BridgeDrivers
类型：SynchronousBuckNexFETPowerBlock
上升时间：7.5ns
下降时间：1.9ns
电源电压（最大值）：8V
电源电压（最小值）：4.5V
电源电流：10uA
最大功率耗散：6W
最大工作温度：-40C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SON3mmx3mm
封装：Reel
最小工作温度：+125C
激励器数量：2

特性

半桥电源块
15 A时90%系统效率
高达20 A的操作
高频操作(高达1.5 MHz)
高密度– SON 3.3 mm×3.3 mm尺寸
针对5 V栅极驱动进行了优化
低开关损耗
超低电感封装
符合RoHS
无卤素
无铅端子电镀

参数

制造商包装说明	SON-8
符合欧盟RoHS	是
状态	活性
接口IC类型	基于缓冲或逆变器的MOSFET驱动器
高端驱动器	没有
输入特性	标准
JESD-30代码	S-PDSO-N8
JESD-609代码	e3
功能数量	1个
端子数	8
最低工作温度	-55℃
最高工作温度	150℃
包装主体材料	塑料/环氧树脂
包装代码	HTSON
包装形状	广场
包装形式	小轮廓，散热片/塞子，薄型
峰值回流温度(℃)	260
资格状态	不合格
座高	1.5毫米
电源电压标称	12.0伏
最大电源电压	22.0伏
功率-最大	6瓦
场效应管类型	2个N通道(半桥)
场效应管功能	逻辑电平门
安装类型	表面贴装
温度等级	军事
终端完成	磨砂锡(Sn)
终端表格	无铅
端子间距	0.65毫米
终端位置	双
时间@峰值回流温度-最大(秒)	未标明
长度	3.3毫米
宽度	3.3毫米

PDF资料

厂商	PDF简要描述	下载
TI	产品型号CSD86330Q3D描述场效应管2N-CH 25V 20A 8SON分类分立半导体产品，晶体管-FET，MOSFET-阵列制造商德州仪器系列NexFET?零件状态活性工作温度-55°C?150°C(TJ)包装/箱8电源LDFN供应商设备包装8-LSON(3.3x3.3)基本零件号CSD86330	PDF
Texas Instruments		PDF

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供应商	数量	厂商	批号	封装	交易说明	仓库
深圳市恩智芯城科技有限公司	1	TI/德州仪器	12+	SON8	特高价回收微信号SWGJ1401		询价
深圳市天诚丽海电子有限公司	10000	TI/德州仪器	1314+		原装正品假一罚十		询价
深圳市晨豪科技有限公司	41850	TI/德州仪器	2021+	QFN	原装现货假一罚十		询价
深圳市朝旭科技有限公司	66837	TI/德州仪器	14+15+	QFN			询价
深圳市勇涛伟业电子有限公司	2500	TI/德州仪器	2150+	SON-8	进口原装正品现货	深圳	询价

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