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摘要: 集微网报道(丹阳/编译),IC Insights预测,继今年上半年半导体资本支出大幅增长后,全年半导体资本支出预期上调至809亿美元,比去年同期增长20%,且高于预期资本支出53亿美元,堪称历史最高。图1如图1所示,2017年为资本支出贡献最大的为晶圆代工厂(28%)和闪存(24%)。随着2016年第三季度以来DRAM价格的飙升,DRAM制造商将再次加大在这一领域的支出。预计到2017年,DRAM
集微网报道(丹阳/编译),IC Insights预测,继今年上半年半导体资本支出大幅增长后,全年半导体资本支出预期上调至809亿美元,比去年同期增长20%,且高于预期资本支出53亿美元,堪称历史最高。
图1
如图1所示,2017年为资本支出贡献最大的为晶圆代工厂(28%)和闪存(24%)。随着2016年第三季度以来DRAM价格的飙升,DRAM制造商将再次加大在这一领域的支出。预计到2017年,DRAM / SRAM的增长将达到53%,有望成为今年资本支出增长的最大百分比。经分析,大部分资本支出仍在升级技术方面,但DRAM生产商SK Hynix分析称,不单单投入在技术升级,更花费在产能提高上。
即使是今年支出激增,2017年闪存(190亿美元)的资本支出仍将远远高于DRAM / SRAM(130亿美元)。IC Insights认为,2017年闪存的所有支出都将用于3D NAND工艺技术改良,包括三星电子在韩国平泽掀起的3D NAND热浪。
总体而言,预计在2016年强劲增长23%之后,闪存的资本支出将在2017年实现33%的增长。然而,历史先例表明,资本支出的激增通常会导致产能过剩和定价疲软。在未来几年里,与三星、海力士、微软、英特尔、东芝、西部数据、SanDisk和武汉新芯/长江存储技术有关的3D NAND闪存容量将有大幅度提升,而且新的中国生产商可能会进入市场,IC Insights认为未来随着3D NAND 闪存市场需求的增长加大,也将会面临更大风险
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |
型号/产品名 | 平均报价 | 涨跌幅 |
---|---|---|
STM8S003F3P6 | 1.72 | 1.12% |
74HC573D | 0.64 | 2.86% |
2N7002 | 3.66 | 400.00% |
STM32F103C8T6 | 7.47 | 27.87% |
1N4007 | 1.58 | 0.00% |
ADM2483BRWZ | 8.90 | 3.21% |
SHT10 | 16.21 | 5.88% |
STM32F103RCT6 | 12.56 | 24.44% |
LM358 | 118206.75 | 16.67% |
LM358DT 2000 件
盖茨比
LM358DT 2000 件
盖茨比
LM358DR/LM358DT 10万+ 件
盖茨比
SI7157DP-T1-GE3 30 件
武汉绿洲科技有限公司
SI7157DP-T1-GE3 30 件
武汉绿洲科技有限公司