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摘要： 日本产业综合研究所（产综研）开发出了厚度仅12nm、具有超薄沟道的双栅mos fet。并于1月18日在由nedo（日本新能源产业技术综合开发机构）主办的“2006年度研究助成事业成果发布会”上进行了报告。 通常情况下晶体管微细、待机时的耗电就越大。这是由于源漏极间的距离变小，使得通过底板的源-漏极间的漏电电流增大，以及栅绝缘膜变薄造成栅-漏极间的漏电电流增大引起的。针对这一问题，产综研通过具有
| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ￥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ￥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ￥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ￥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ￥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ￥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ￥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ￥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ￥9.67 |
| 型号/产品名 | 平均报价 | 涨跌幅 |
|---|---|---|
| STM8S003F3P6 | 1.55 | 1.12% |
| 74HC573D | 0.64 | 2.86% |
| 2N7002 | 3.66 | 400.00% |
| STM32F103C8T6 | 7.47 | 27.87% |
| 1N4007 | 1.58 | 0.00% |
| ADM2483BRWZ | 8.90 | 3.21% |
| SHT10 | 16.21 | 5.88% |
| STM32F103RCT6 | 12.56 | 24.44% |
| 78L05 | 10.55 | 66.67% |
| LM358 | 118206.75 | 16.67% |