对于电机、变压器、继电器以及彩电的开关电源变压器和消磁线圈等这些由漆包线绕制的产品,其绝缘性能的项目包括:一是绕组对机壳、绕组对绕组的绝缘。另一类是一绕组中线圈层与层之间、匝与匝之间的绝缘。对于前者绝缘试验的方法较易实现,就是我们通常使用的绝缘耐压测仪。而对于后者,因为绕组首尾之间的直流电阻和工频阻抗远小于它的层与层、匝与匝之间绝缘电阻,实现起来就复杂的多了。
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4124 08-10
试验项目试验结果故障原因检查方法绝缘电阻测量(用1000-2500伏兆欧表)线圈-线圈线圈-地绝缘电阻为零线圈对地或线圈与线圈间有穿击现象解体检查线圈和绝缘线圈间以及每相间的绝缘电阻不相等可能是套管损坏检查各相引线对地的绝缘电阻空载试验空载损耗与电流值非常大铁芯螺杆或铁轭螺杆与铁芯有短路处,接地片装得不正确,构成短路;匝间短路检查接地情况及匝间短路处,用1000伏兆欧表,测铁螺杆的绝缘电阻,检查夹
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186 10-21
一般来说,开关电源变压器使用时间长了会出现发热的现象,那么,是什么原因造成这样的现象呢?其实原因很简单,是因为开关电源变压器是加入了开关管的电源变压器,在电路中除了普通变压器的电压变换功能,还兼具绝缘隔离与功率传送功能一般用在开关电源等涉及高频电路的场合。我们都知道,半导体、功率二极管等是在使用中极易发热的元器件,在开关电源中也不例外,开关电源主要的发热元器件为半导体开关管、功率二极管、高频变压
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2363 11-11
意法半导体(ST)日前推出PowerMESH系列绝缘栅双极晶体管。新器件专为家电电机控制、功率因数校正和电磁加热应用而设计。此系列绝缘栅双极晶体管采用一项与载流子寿命控制相关的带状布局专利技术,这项技术能够改进器件的集电极-发射极饱和电压特性,同时还能降低开关损耗,从而使个系列产品适合高达50KHz的开关应用。
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397 08-10
相信大多数人都听说过电源开关,首先电源在生活和工作当中是必不可少的,但只要跟电相关的就存在一定的安全隐患,有的时候需要一些小装置来确保安全和便捷,因此就有了电源开关。而大家在产品的表面上通常可以看到电源开关符号,最常见的就是用0和1来表示,一开始大家可能不知其含义,但久而久之就可以在使用的过程中摸索出来了。
经查开关电源变压器L101损坏,更换Ll01后整机正常。在无配件时可自制该开关电源变压器,重绕数据为,用高强度漆包线p0.19mm初级绕225匝,次级绕92匝,初级次级之间加一层绝缘青壳纸,重绕时还应注意绕线的相位。
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283 08-10
量测裸片的功率耗散,并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示),以计算外壳至结点的温升。这种方法适用于所有单裸片封装,包括双极结晶体管(BJT)、MOSFET、二极管及晶闸管。但对多裸片绝缘栅双极晶体管(IGBT)而言,这种方法被证实不足以胜任。某些IGBT是单
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295 08-10
下面是 [HA17385开关电源集成控制器内部等效电路]的乐动体育注册开户 HA17385开关电源集成控制器内部等效电路HA17385开关电源集成控制器采用⑧脚的DIP封装形式,图为其内部等效电路框图。由等效电路框图可知,HA17385片内有5V基准电压稳压器、振荡器(三角波发生器)、误差放大器及功率MOSFET驱动电路等构成开关电源所需要的全部电路。
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1388 08-10
量测裸片的功率耗散,并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示),以计算外壳至结点的温升。这种方法适用于所有单裸片封装,包括双极结晶体管(BJT)、MOSFET、二极管及晶闸管。但对多裸片绝缘栅双极晶体管(IGBT)而言,这种方法被证实不足以胜任。 某些IGBT是单裸片组件,要么结合单片二极管作,要么
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264 11-14
开关电源变压器是开关电源中的核心部件,作用有三:磁能转换、电压变换和绝缘隔离。由于开关变压器的工作频率很高,因此它的体积和重量比工频变压器大为缩小,同时变压器的分布参数亦不能忽略。开关电源变压器工作于高频状态,分布参数有漏感、分布电容和电流趋肤效应。一般根据开关电源电路设计的要求提出漏感和分布电容限定值,在变压器的线圈结构设计中实现
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138 10-09
测量裸片的功率耗散,并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示),以计算外壳至结点的温升。这种方法适用于所有单裸片封裝,包括双极结晶体管(BJT)、MOSFET、二极管及晶闸管。但对多裸片绝缘门双极晶体管(IGBT)而言,这种方法被证实不足以胜任。 某些IGBT是单裸片器件,要么结合单片二极管作,要么不结合二极管;然而,大
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149 04-23