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首页> IC百科 > TPD2EUSB30DRTR

TPD2EUSB30DRTR

浏览次数：227次 更新时间：2021-09-23 16:43

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市场热度  (多维度数据综合计算用来更准确的反应该型号的市场热度)

近60天周热度

价格趋势 注：市场参考均价

目录

概述

TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A和TPD4EUSB30是基于2通道和4通道瞬态电压抑制器（TVS)的静电放电（ESD）保护二极管阵列。TPDXEUSB30/A器件的额定ESD冲击消散值达到了IEC61000-4-2国际标准（接触式）规定的最高水平。根据IEC61000-4-5（浪涌）规范，这类器件还可提供5A（8/20us)的峰值脉冲电流额定值。

TPD2EUSB30A具有4.5V的低直流击穿电压。凭借低电容、低击穿电压和低动态电阻，TPD2EUSB30A器件可为高速差分IO提供出色的保护。

TPD2EUSB30和TPD2EUSB30A可采用节省空间的DRT（1mm×1mm)封装：TPD4EUSB30可采用节省空间的DQA（2.5mm×1.0mm)封装。

特性

  • 支持USB3.0数据速率（5Gbps)

  • IEC 6100042ESD保护（4级接触式）

  • IEC 6100045浪滴保护

  • 5A(8/20us)

  • 低电容

  • DRT：0.7pF（典型值）

  • DQA：0.8pF（典型值）

  • 动态电阻：0.6Q（典型值）

  • 节省空间的DRT、DQA封装

  • 直通引脚映射

参数

  • 电容：0.8 pF

  • 击穿电压：9 V

  • 通道数：2

  • 针脚数：3

  • 钳位电压：8 V

  • 测试电流：1 mA

  • 脉冲峰值功率：45 W

  • 最小反向击穿电压：7 V

  • 工作温度(Max)：85 ℃

  • 工作温度(Min)：-40 ℃

  • 安装方式：Surface Mount

  • 引脚数：3

  • 长度：1.05 mm

  • 宽度：0.85 mm

  • 高度：0.45 mm

  • 封装：SOT-3

引脚图与功能

TPD2EUSB30DRTR引脚图

PDF资料

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