2N7002DW-7-F
2021-09-28 1183次
2N7002DW-7-F该MOSFET被设计为最小化通态电阻(RosfoN),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
双n通道MOSFET
低导通电阻
低门限值电压
低输入电容
快速开关速度
低输入/输出泄漏
超小表面贴装封装
完全无铅和完全符合RoHS(注1和2)
无卤素和锑。“绿色”设备(注3和4)
符合AEC-Q101高可靠性标准
额定电压(DC):60.0 V
额定电流:115 mA
针脚数:6
漏源极电阻:13.5 Ω
极性:Dual N-Channel
耗散功率:200 mW
阈值电压:2 V
输入电容:50.0 pF
漏源极电压(Vds):60 V
漏源击穿电压:70.0 V
栅源击穿电压:±20.0 V
连续漏极电流(Ids):115 mA
正向电压(Max):1.5 V
输入电容(Ciss):50pF @25V(Vds)
额定功率(Max):200 mW
工作温度(Max):150 ℃
工作温度(Min):-55 ℃
耗散功率(Max):310 mW
安装方式:Surface Mount
引脚数:6
封装:SC-70-6
长度:2.2 mm
宽度:1.35 mm
高度:1 mm
厂商 | 下载 |
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Diodes Incorporated |